IXYP20N120C3, IGBT Transistors GenX3 1200V XPT IGBT
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 840 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 840 руб.
Описание
The XPT™ range of discrete IGBTs from IXYS feature Extreme-light Punch-Through thin wafer technology, resulting in reduced thermal resistance and lower energy losses.
Технические параметры
| Channel Type | N |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 40 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Maximum Power Dissipation | 278 W |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package Type | TO-220 |
| Pin Count | 3 |
| Switching Speed | 50kHz |
| Transistor Configuration | Single |
