J112, Транзистор, N-канал 35В 50мА [TO-92]
![Фото 1/6 J112, Транзистор, N-канал 35В 50мА [TO-92]](https://static.chipdip.ru/lib/211/DOC001211862.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
43 руб.
от 100 шт. —
40 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 43 руб.
Описание
Описание Транзистор: N-JFET, полевой, 5мА, 350мВт, TO92, Igt: 50мА
Технические параметры
| Структура | N-канал |
| Напряжение пробоя (V(br)gss), В | 35 |
| Ток утечки (Idss), мА | 5(min) |
| при Vds, В (Vgs=0) | 15 |
| Напряжение отсечки (Vgs off), В | 1…5 |
| при Id, нА | 1000 |
| Сопротивление канала (RDS(On)), Ом | 50(max) |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 0.625 |
| Рабочая температура (Tj), °C | -55…+150 |
| Корпус | TO-92 |
| Вес, г | 0.3 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
С этим товаром покупают
