КР159НТ1В, Матрица из двух n-p-n транзисторов
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1203 шт. со склада г.Москва
27 руб.
от 50 шт. —
22 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 27 руб.
Номенклатурный номер: 12263
Артикул: КР159НТ1В
Бренд: Россия
Технические параметры
| Структура | 2 х npn | |
| Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В | 20 | |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 4 | |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.01 | |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0.05 | |
| Корпус | 201.8-1 | |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
kr159nt1v
pdf, 35 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
С этим товаром покупают
