KSA1142OSTU, Биполярный транзистор, PNP, 180 В, 100 мА, 8 Вт, TO-126, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
160 руб.
Мин. кол-во для заказа 17 шт.
от 100 шт. —
98 руб.
Добавить в корзину 17 шт.
на сумму 2 720 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Одиночные Массивы Транзисторов - BJT
Биполярные транзисторы - BJT PNP Si Transistor Epitaxial
Технические параметры
Collector Emitter Voltage Max | 180В |
Continuous Collector Current | 100мА |
DC Current Gain hFE Min | 100hFE |
DC Усиление Тока hFE | 100hFE |
Power Dissipation | 8Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Линейка Продукции | KSA1142 |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Монтаж транзистора | Through Hole |
Полярность Транзистора | PNP |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-126 |
Частота Перехода ft | 180МГц |
Pd - рассеивание мощности | 8000 mW |
Вид монтажа | Through Hole |
Высота | 11 mm |
Длина | 8 mm |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
Конфигурация | Single |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 320 |
Максимальный постоянный ток коллектора | 100 mA |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 180 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 180 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.16 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
Непрерывный коллекторный ток | 0.1 A |
Подкатегория | Transistors |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 180 MHz |
Размер фабричной упаковки | 1920 |
Серия | KSA1142 |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
Торговая марка | ON Semiconductor / Fairchild |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-126-3 |
Ширина | 3.25 mm |
Вес, г | 2 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 198 КБ
Datasheet KSA1142OSTU
pdf, 219 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов