KSC1008YBU, Биполярный транзистор, NPN, 60 В, 700 мА, 800 мВт, TO-92, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
110 руб.
Мин. кол-во для заказа 25 шт.
Кратность заказа 5 шт.
от 100 шт. —
45 руб.
Добавить в корзину 25 шт.
на сумму 2 750 руб.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT NPN Epitaxial Sil
Технические параметры
| Pd - рассеивание мощности | 800 mW |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Высота | 4.7 mm |
| Длина | 4.7 mm |
| Другие названия товара № | KSC1008YBU_NL |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 40 |
| Конфигурация | Single |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 400 |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 0.7 A |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 80 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 60 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.2 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 8 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 0.7 A |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | NPN |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 50 MHz |
| Размер фабричной упаковки | 10000 |
| Серия | KSC1008 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Торговая марка | ON Semiconductor / Fairchild |
| Упаковка | Bulk |
| Упаковка / блок | TO-92-3 |
| Ширина | 3.93 mm |
| Вес, г | 0.4 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 240 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
