KSC5402DTF, Trans GP BJT NPN 450V 2A 50000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

110 руб.

Кратность заказа 2000 шт.

Добавить в корзину 2000 шт. на сумму 220 000 руб.

Номенклатурный номер: 8022252898

Артикул: KSC5402DTF

Semiconductor - Discrete > Transistors > BJT - General Purpose

Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.

Collector Emitter Voltage Max	525В
Continuous Collector Current	2А
DC Current Gain hFE Min	6hFE
DC Усиление Тока hFE	6hFE
Power Dissipation	30Вт
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура	150°C
Монтаж транзистора	Surface Mount
Полярность Транзистора	NPN
Стиль Корпуса Транзистора	TO-252(DPAK)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)	MSL 1-Безлимитный
Частота Перехода ft	11МГц
Brand:	onsemi/Fairchild
Collector- Base Voltage VCBO:	1 kV
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:	450 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:	650 mV
Configuration:	Single
DC Collector/Base Gain hfe Min:	14
Emitter- Base Voltage VEBO:	12 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:	2000
Gain Bandwidth Product fT:	11 MHz
Manufacturer:	onsemi
Maximum DC Collector Current:	2 A
Maximum Operating Temperature:	+150 C
Mounting Style:	SMD/SMT
Package / Case:	DPAK-3
Pd - Power Dissipation:	50 W
Product Category:	Bipolar Transistors-BJT
Product Type:	BJTs-Bipolar Transistors
Series:	KSC5402D
Subcategory:	Transistors
Technology:	Si
Transistor Polarity:	NPN
Вес, г	1