KSC5603DTU, Биполярный транзистор, NPN, 800 В, 3 А, 100 Вт, TO-220, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
380 руб.
Мин. кол-во для заказа 7 шт.
от 10 шт. —
340 руб.
от 100 шт. —
261 руб.
Добавить в корзину 7 шт.
на сумму 2 660 руб.
Описание
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Одиночные Массивы Транзисторов - BJT
Trans GP BJT NPN 800V 3A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Технические параметры
| Collector Emitter Voltage Max | 800В |
| Continuous Collector Current | 3А |
| DC Current Gain hFE Min | 20hFE |
| DC Усиление Тока hFE | 20hFE |
| Power Dissipation | 100Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Полярность Транзистора | NPN |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-220 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Частота Перехода ft | 5МГц |
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 1.6 kV |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 800 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.2 V |
| Configuration: | Single |
| Continuous Collector Current: | 3 A |
| DC Collector/Base Gain hfe Min: | 20 |
| DC Current Gain hFE Max: | 35 |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 12 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 50 |
| Gain Bandwidth Product fT: | 5 MHz |
| Manufacturer: | onsemi |
| Maximum DC Collector Current: | 3 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-220-3 |
| Packaging: | Tube |
| Part # Aliases: | KSC5603DTU_NL |
| Pd - Power Dissipation: | 100 W |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Series: | KSC5603D |
| Subcategory: | Transistors |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | NPN |
| Automotive | No |
| Configuration | Single |
| ECCN (US) | EAR99 |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| Lead Shape | Through Hole |
| Material | Si |
| Maximum Base Current (A) | 2 |
| Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V) | 1.2@50mA@500mA|1.2@0.4A@2A |
| Maximum Collector Base Voltage (V) | 1600 |
| Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 1.25@25mA@250mA|2.5@50mA@500mA|2.5@0.2mA@1A |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 800 |
| Maximum DC Collector Current (A) | 3 |
| Maximum Emitter Base Voltage (V) | 12 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 100000 |
| Maximum Transition Frequency (MHz) | 5(Typ) |
| Minimum DC Current Gain | 20@400mA@3V|20@5mA@10V |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -65 |
| Mounting | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Operating Junction Temperature (°C) | 150 |
| Packaging | Tube |
| Part Status | Active |
| PCB changed | 3 |
| Pin Count | 3 |
| PPAP | No |
| Product Category | Bipolar Power |
| Standard Package Name | TO |
| Supplier Package | TO-220 |
| Tab | Tab |
| Type | NPN |
| Вес, г | 3.25 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
