KSD1691YS (8003181590)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
Номенклатурный номер
8003181590
Бренд
Pd - рассеивание мощности
1300 mW
Вид монтажа
Through Hole
Высота
1.5 mm
Длина
8 mm
Другие названия товара №
KSD1691YS_NL
Категория продукта
Биполярные транзисторы - BJT
Все параметры
Datasheet
pdf, 165 КБ
Все документы
89 шт. со склада г.Москва, срок 4-5 дней
110 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
77 руб.
от 10 шт. —
74 руб.
2 шт.
на сумму 220 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения2
Этот же товар с другими ценами и сроками поставки
Биполярные транзисторы - BJT NPN Epitaxial Sil
Технические параметры
| Pd - рассеивание мощности | 1300 mW |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Высота | 1.5 mm |
| Длина | 8 mm |
| Другие названия товара № | KSD1691YS_NL |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Конфигурация | Single |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 400 |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 5 A |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 60 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 60 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.1 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 7 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 5 A |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | NPN |
| Размер фабричной упаковки | 2000 |
| Серия | KSD1691 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Торговая марка | ON Semiconductor / Fairchild |
| Упаковка | Bulk |
| Упаковка / блок | TO-126-3 |
| Ширина | 3.25 mm |
Техническая документация
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.