Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные (BJTs) › No trademark › KSE13003H1AS

KSE13003H1AS

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

25 шт. со склада г.Москва, срок 8-11 дней

150 руб.

Мин. кол-во для заказа 2 шт.

от 5 шт. — 91 руб.

от 10 шт. — 71 руб.

от 25 шт. — 56.70 руб.

Добавить в корзину 2 шт. на сумму 300 руб.

Номенклатурный номер: 8003076492

Бренд: Нет торговой марки

Описание

Электроэлемент

Trans GP BJT NPN 400V 1.5A 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube - Rail/Tube (Alt: KSE13003H1ASTU)

Технические параметры

Lead Finish	Matte Tin
Maximum Base Emitter Saturation Voltage	1@0.1A@0.5AI1.2@0.25A@1A V
Maximum Collector Base Voltage	700 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage	0.5@0.1A@0.5AI1@0.25A@1AI3@0.5A@1.5A V
Maximum Collector Emitter Voltage	400 V
Maximum DC Collector Current	1.5 A
Maximum Emitter Base Voltage	9 V
Maximum Power Dissipation	20000 mW
Minimum DC Current Gain	9@0.5A@2V
Mounting	Through Hole
Operating Temperature	-65 to 150 °C
Type	NPN
Pd - рассеивание мощности	20 W
Вид монтажа	Through Hole
Высота	11 mm
Длина	8 mm
Другие названия товара №	KSE13003H1ASTU_NL
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	8
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	40
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	1.5 A
Минимальная рабочая температура	65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	700 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	400 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	0.5 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	9 V
Непрерывный коллекторный ток	1.5 A
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	4 MHz
Размер фабричной упаковки	1920
Серия	KSE13003
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	ON Semiconductor / Fairchild
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-126-3
Ширина	3.25 mm
Вес, г	1.4