LMC662AIM/NOPB, Операционный усилитель, двойной, 2 Усилителя, 1.4 МГц, 1.1 В/мкс, 4.75В до 15.5В, SOIC

Фото 2/3 LMC662AIM/NOPB, Операционный усилитель, двойной, 2 Усилителя, 1.4 МГц, 1.1 В/мкс, 4.75В до 15.5В, SOICФото 3/3 LMC662AIM/NOPB, Операционный усилитель, двойной, 2 Усилителя, 1.4 МГц, 1.1 В/мкс, 4.75В до 15.5В, SOIC
Фото 1/3 LMC662AIM/NOPB, Операционный усилитель, двойной, 2 Усилителя, 1.4 МГц, 1.1 В/мкс, 4.75В до 15.5В, SOIC
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Ном. номер: 8855550786
Артикул: LMC662AIM/NOPB
Производитель: Texas Instruments
230 руб.
123 шт. со склада г.Москва,
срок 2-4 недели
от 10 шт. — 192 руб.
от 50 шт. — 173 руб.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
280 руб. 8 шт. 1 шт. 1 шт.
от 5 шт. — 256 руб.
от 50 шт. — 251 руб.
161 руб. 3-5 недель, 1140 шт. 95 шт. 190 шт.
от 950 шт. — 129 руб.
220 руб. 7 дней, 165 шт. 5 шт. 5 шт.
от 50 шт. — 190 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Есть аналоги

Описание

Полупроводники - Микросхемы\Усилители и Компараторы\Операционные Усилители - ОУ

The LMC662AIM/NOPB is a CMOS dual Operational Amplifier, ideal for operation from a single supply. It operates from +5 to +15V and features rail-to-rail output swing in addition to an input common-mode range that includes ground. Performance limitations that have plagued CMOS amplifiers in the past are not a problem with this design. Input VOS, drift and broadband noise as well as voltage gain into realistic loads (2kR and 600R) are all equal to or better than widely accepted bipolar equivalents. This chip is built with TI's advanced Double-Poly Silicon-Gate CMOS process.

• Rail-to-rail output swing
• 3mV Low input offset voltage
• 1.3µV/°C Low offset voltage drift
• 2fA Ultra low input bias current
• Input common-mode range
• Green product and no Sb/Br

Технические параметры

Минимальная Рабочая Температура -40 C
Максимальная Рабочая Температура 85 C
Количество Выводов 8вывод(-ов)
Полоса Пропускания 1.4МГц
Диапазон Напряжения Питания 4.75В до 15.5В
Стиль Корпуса Усилителя SOIC
Скорость нарастания 1.1В/мкс
Количество Усилителей 2 Усилителя
Максимальная рабочая температура +85 °C
Количество каналов на ИС 2
Длина 4.9мм
Типичное одиночное напряжение питания 5 → 15 В
Типичная скорость нарастания 1.1В/мкс
Типичное усиление по напряжению 126 dB
Производитель Texas Instruments
Тип источника питания Одинарный
Тип корпуса SOIC
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Минимальная рабочая температура -40 °C
Ширина 3.9мм
Типичная интенсивность шумов входного напряжения 22нВ/√Гц
Rail to Rail No
Высота 1.45мм
Число контактов 8
Размеры 4.9 x 3.9 x 1.45мм
Типичное произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 1.4МГц
Тип усилителя Точность
Максимальная рабочая температура +85 °C
Number of Channels per Chip 2
Length 4.9мм
Типичное одиночное напряжение питания 5 → 15 В
Typical Slew Rate 1.1В/мкс
Typical Voltage Gain 126 dB
Brand Texas Instruments
Power Supply Type Одинарный
Тип корпуса SOIC
Mounting Type Поверхностный монтаж
Минимальная рабочая температура -40 °C
Width 3.9мм
Типичная интенсивность шумов входного напряжения 22нВ/√Гц
Rail to Rail Нет
Высота 1.45мм
Pin Count 8
Размеры 4.9 x 3.9 x 1.45mm
Типичное произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 1.4МГц
Amplifier Type Точность
Вес, г 0.146

Техническая документация

Datasheet LMC662
pdf, 1374 КБ

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах