Добавить к сравнению Сравнить ()

LND150K1-G, МОП-транзистор, N Канал, 13 мА, 500 В, 850 Ом, 0 В

PartNumber: LND150K1-G
Ном. номер: 8085952138
Производитель: Microchip
LND150K1-G, МОП-транзистор, N Канал, 13 мА, 500 В, 850 Ом, 0 В
Доступно на заказ 2439 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 2-3 недели.
35 × = 35
от 10 шт. — 32 руб.
от 25 шт. — 26 руб.

Описание

The LND150K1-G is a N-channel depletion-mode DMOS FET utilizing Supertex's lateral DMOS technology. The gate is ESD protected. It is ideal for high voltage applications in the areas of normally-on switches, precision constant current sources, voltage ramp generation and amplification.

• Free from secondary breakdown
• Low power drive requirement
• Ease of paralleling
• Excellent thermal stability
• Integral source-drain diode
• High input impedance and low CISS

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура
150°C
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1 - Безлимитный
Стиль Корпуса Транзистора
TO-236AB
Рассеиваемая Мощность
360мВт
Полярность Транзистора
N Канал
Напряжение Истока-стока Vds
500В
Непрерывный Ток Стока
13мА
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
850Ом
Напряжение Измерения Rds(on)

Дополнительная информация

Datasheet LND150K1-G