Добавить к сравнению Сравнить ()

MAC12NG, Симистор 12А 800В 35мА [TO-220]

Артикул: MAC12NG
Ном. номер: 2353
Производитель: ON Semiconductor
Фото 1/2 MAC12NG, Симистор 12А 800В 35мА [TO-220]
Фото 2/2 MAC12NG, Симистор 12А 800В 35мА [TO-220]
Есть в наличии более 100 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 1 рабочий день.
Возможна срочная доставка завтра
50 × = 50
от 50 шт. — 47 руб.
от 500 шт. — по запросу
Цена и наличие в магазинах

Описание

The MAC12NG is a Silicon Bidirectional Thyristor/Triac designed for high performance full-wave AC control applications where high noise immunity and commutating di/dt are required. Uniform gate trigger currents in three quadrants, Q1, Q2 and Q3.

• Blocking voltage to 800V
• High immunity to dv/dt (250V/s minimum at 125°C)
• High commutating di/dt (6.5A/ms Minimum at 125°C)
• High surge current capability
• 0.35W Average gate power
• 2.2°C/W Thermal resistance, junction-to-case

Технические параметры

Максимальное обратное напряжение Uобр.,В
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии Uзс.повт.макс.,В
800
Макс. среднее за период значение тока в открытом состоянии Iос.ср.макс.,А
Макс. кратковременный импульсный ток в открытом состоянии Iкр.макс.,А
100
Макс. напр. в открытом состоянии Uос.макс.,В
1.85
Наименьший постоянный ток управления, необходимый для включения тиристора Iу.от.мин.,А
Отпирающее напряжение управления,соответствующее минимальному постоянному отпирающему току Uу.от.,В
1.5
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии dUзс./dt,В/мкс
250
Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии dI/dt,А/мкс
250
Время включения tвкл.,мкс
2
Рабочая температура,С
-40…125
Корпус

Техническая документация

Дополнительная информация

Datasheet MAC12NG
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров