MC1413DR2G, Транзисторная сборка, Darlington, 7х NPN, 50 В, 500 мА, 1000 hFE [SO-16]

Фото 2/2 MC1413DR2G, Транзисторная сборка, Darlington, 7х NPN, 50 В, 500 мА, 1000 hFE [SO-16]
Фото 1/2 MC1413DR2G, Транзисторная сборка, Darlington, 7х NPN, 50 В, 500 мА, 1000 hFE [SO-16]
2335 шт. со склада г.Москва
33 руб.
от 15 шт.26 руб.
от 150 шт.19.50 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 33 руб.
В кредит от 0 руб./мес
Посмотреть альтернативные предложения2
Посмотреть аналоги11
Номенклатурный номер: 9000616825
Артикул: MC1413DR2G
Страна происхождения: КИТАЙ
Производитель: ON Semiconductor

Описание

Массив биполярных (BJT) транзисторов 7 NPN Darlington 50V 500mA поверхностный монтаж 16-SOIC

Технические параметры

Тип Реле/Соленоид драйвер
Конфигурация Low-Side
Количество выходов 7
Соотношение - вход: выход 1:1
Тип выхода npn
Напряжение нагрузки, В 50(max)
Выходной ток (Max), А 0.5
Интерфейс parallel
Рабочая температура, °C -20…+85
Корпус soic-16
Вес, г 0.11

Техническая документация

Datasheet MC1413DR2G
pdf, 187 КБ
Datasheet
pdf, 75 КБ
Datasheet MC1413DR2G
pdf, 78 КБ

Дополнительная информация

SMD справочник
Типы корпусов импортных микросхем

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах