MD120HFR120C2S, Silicon Carbide MOSFET, Silicon Carbide, Half Bridge, Dual N Channel, 200 А, 1.2 кВ, 0.01 Ом
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
8 шт., срок 8-10 недель
Бесплатная доставка 5Post, СДЭК и Я.Доставка
111 300 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 111 300 руб.
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\МОП-Транзисторы и Модули на Основе Карбида Кремния (SiC)
Starpower IGBT Modules and Arrays provide ultra low conduction loss as well as short circuit ruggedness. They are designed for the applications such as general inverters and UPS. With key features of Trench IGBT technology, maximum junction temperature 175°C and an Isolated copper baseplate using DBC technology.
Технические параметры
| Channel Type | Dual N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.01Ом |
| Конфигурация МОП-транзистора | Half Bridge |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 18В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 1.2кВ |
| Непрерывный Ток Стока | 200А |
| Полярность Транзистора | Двойной N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 5.6В |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.01Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | Module |
| Вес, г | 294.8 |
Техническая документация
Datasheet MD120HFR120C2S
pdf, 126 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
