Мой регион:
Режим цен:
Добавить к сравнению Сравнить ()

MGSF1N02LT1G, МОП-транзистор, N Канал, 750 мА, 20 В, 0.075 Ом, 10 В, 1.7 В

PartNumber: MGSF1N02LT1G
Ном. номер: 8060977580
Производитель: ON Semiconductor
MGSF1N02LT1G, МОП-транзистор, N Канал, 750 мА, 20 В, 0.075 Ом, 10 В, 1.7 В
Доступно на заказ 215 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 2-3 недели.
25 × = 25
от 80 шт. — 16 руб.

Описание

The MGSF1N02LT1G is a N-channel miniature surface-mount Power MOSFET with low RDS (ON) assure minimal power loss and conserve energy. The device is ideal for use in space sensitive power management circuitry. It is suitable for DC-to-DC converters, power management in portable and battery-powered products such as printers, PCMCIA cards, cellular and cordless telephones.

• Low RDS (ON) provides higher efficiency and extends battery life
• Miniature surface-mount package saves board space
• -55 to 150°C Operating temperature range

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура
150°C
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1 - Безлимитный
Стиль Корпуса Транзистора
SOT-23
Рассеиваемая Мощность
400мВт
Полярность Транзистора
N Канал
Напряжение Истока-стока Vds
20В
Непрерывный Ток Стока
750мА
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.075Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
10В
Пороговое Напряжение Vgs
1.7В

Дополнительная информация

Datasheet MGSF1N02LT1G