MGSF1N02LT1G, 20V 750mA 400mW 0.09@10V,1.2A 1V@250uA 1 N-Channel SOT-23-3 MOSFETs ROHS

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

Номенклатурный номер

8013787911

Артикул

MGSF1N02LT1G

Бренд

Case

SOT23-3

Drain current

0.75A

Drain-source voltage

20V

Gate charge

6nC

Gate-source voltage

±20V

Все параметры

pdf, 154 КБ

2052 шт., срок 8-9 недель

23 руб.

Мин. кол-во для заказа 8 шт.

8 шт. на сумму 184 руб.

Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа

Альтернативные предложения2

Этот же товар с другими ценами и сроками поставки

Описание Отзывы

Описание Транзистор N-МОП, полевой, 20В, 750мА, 400мВт, SOT23-6 Характеристики

Case	SOT23-3
Drain current	0.75A
Drain-source voltage	20V
Gate charge	6nC
Gate-source voltage	±20V
Kind of channel	enhanced
Kind of package	reel, tape
Manufacturer	ONSEMI
Mounting	SMD
On-state resistance	90mΩ
Polarisation	unipolar
Power dissipation	0.4W
Type of transistor	N-MOSFET
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	750 mA
Maximum Drain Source Resistance	130 mΩ
Maximum Drain Source Voltage	20 V
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Maximum Gate Threshold Voltage	2.4V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	400 mW
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Package Type	SOT-23
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Width	1.4mm
COO	CN
ECCN	EAR99
Family	MGSF1N02L
RoHS	No
Supplier Standard Pack	3000
Единица измерения	шт

pdf, 154 КБ

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Мы рекомендуем