Мой регион: Россия

MGSF1N03LT1G, МОП-транзистор, N Канал, 1.6 А, 30 В, 0.1 Ом, 10 В, 1.7 В

Ном. номер: 8200297803
PartNumber: MGSF1N03LT1G
Производитель: ON Semiconductor
Фото 1/2 MGSF1N03LT1G, МОП-транзистор, N Канал, 1.6 А, 30 В, 0.1 Ом, 10 В, 1.7 В
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/2 MGSF1N03LT1G, МОП-транзистор, N Канал, 1.6 А, 30 В, 0.1 Ом, 10 В, 1.7 В
42 руб.
2520 шт. со склада г.Москва,
срок 2-3 недели
от 10 шт. — 32 руб.
от 100 шт. — 18 руб.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
18 руб. 8 дней, 600 шт. 100 шт. 100 шт.
от 200 шт. — 16 руб.
от 400 шт. — 15 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.

The MGSF1N03LT1G is a N-channel miniature surface-mount Power MOSFET with low RDS (ON) assure minimal power loss and conserve energy. The device is ideal for use in space sensitive power management circuitry. It is suitable for DC-to-DC converters, power management in portable and battery-powered products such as printers, PCMCIA cards, cellular and cordless telephones.

• Low RDS (ON) provides higher efficiency and extends battery life
• Miniature surface-mount package saves board space
• -55 to 150°C Operating junction temperature range

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура
Количество Выводов
Стиль Корпуса Транзистора
Рассеиваемая Мощность
Полярность Транзистора
Напряжение Истока-стока Vds
Непрерывный Ток Стока
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
Напряжение Измерения Rds(on)
Пороговое Напряжение Vgs
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
2,1 A
Тип корпуса
SOT-23
Максимальное рассеяние мощности
690 мВт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
1.4мм
Высота
1.01мм
Размеры
3.04 x 1.4 x 1.01мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
3.04мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
2,5 нс
Производитель
ON Semiconductor
Типичное время задержки выключения
16 нс
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
2.4V
Максимальное сопротивление сток-исток
145 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
30 V
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
6 нКл
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
140 пФ при 5 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Вес, г
0.048

Дополнительная информация

Datasheet MGSF1N03LT1G

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.