MJ11016G, Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 120 В, 30 А, 200 Вт, [TO-3]
![Фото 2/9 MJ11016G, Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 120 В, 30 А, 200 Вт, [TO-3]](https://static.chipdip.ru/lib/876/DOC002876607.jpg)
![Фото 3/9 MJ11016G, Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 120 В, 30 А, 200 Вт, [TO-3]](https://static.chipdip.ru/lib/422/DOC003422497.jpg)
![Фото 4/9 MJ11016G, Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 120 В, 30 А, 200 Вт, [TO-3]](https://static.chipdip.ru/lib/515/DOC004515383.jpg)
![Фото 5/9 MJ11016G, Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 120 В, 30 А, 200 Вт, [TO-3]](https://static.chipdip.ru/lib/515/DOC004515387.jpg)
![Фото 6/9 MJ11016G, Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 120 В, 30 А, 200 Вт, [TO-3]](https://static.chipdip.ru/lib/515/DOC004515391.jpg)
![Фото 7/9 MJ11016G, Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 120 В, 30 А, 200 Вт, [TO-3]](https://static.chipdip.ru/lib/515/DOC004515395.jpg)
![Фото 8/9 MJ11016G, Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 120 В, 30 А, 200 Вт, [TO-3]](https://static.chipdip.ru/lib/538/DOC002538500.jpg)
![Фото 9/9 MJ11016G, Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 120 В, 30 А, 200 Вт, [TO-3]](https://static.chipdip.ru/lib/550/DOC006550686.jpg)
![Фото 1/9 MJ11016G, Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 120 В, 30 А, 200 Вт, [TO-3]](https://static.chipdip.ru/lib/209/DOC001209980.jpg)
367 шт. со склада г.Москва
490 руб.
от 5 шт. —
468 руб.
от 50 шт. —
455 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 490 руб.
Описание
NPN Darlington Transistors, ON Semiconductor
Технические параметры
| Структура | npn darlington |
| Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В | 120 |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 120 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 30 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 1000 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 4 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 200 |
| Корпус | то-3 |
| Вес, г | 18 |
Техническая документация
MJ11015 datasheet
pdf, 160 КБ
Дополнительная информация
Datasheet MJ11016G
Datasheet MJ11016G
Datasheet MJ11016G
Datasheet MJ11016G
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Цена и наличие в магазинах
С этим товаром покупают
