MJ11016G, Мощный составной (Дарлингтон) NPN транзистор, усилители мощности

Артикул: MJ11016G
Ном. номер: 53809829
Производитель: ON Semiconductor
Фото 1/3 MJ11016G, Мощный составной (Дарлингтон) NPN транзистор, усилители мощности
Фото 2/3 MJ11016G, Мощный составной (Дарлингтон) NPN транзистор, усилители мощностиФото 3/3 MJ11016G, Мощный составной (Дарлингтон) NPN транзистор, усилители мощности
Есть в наличии более 50 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 1 рабочий день.
Возможна срочная доставка завтра
270 руб. × = 270 руб.
от 5 шт. — 230 руб.
от 50 шт. — 220 руб.
Цена и наличие в магазинах

Описание

The MJ11016G is a 120V Silicon NPN Bipolar Darlington Power Transistor designed for use as output devices in complementary general purpose amplifier applications. The transistor has monolithic construction with built-in base-emitter shunt resistor.

• High DC current gain
• Collector-base voltage (Vcbo = 120V)
• Emitter-base voltage (Vcbo = 5V)

Технические параметры

Структура
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В
120
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)
Статический коэффициент передачи тока h21э мин
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт
Корпус

Техническая документация

MJ11015 datasheet
pdf, 160 КБ

Дополнительная информация

Datasheet MJ11016G
Datasheet MJ11016G
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов