MJ11016G, Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 120 В, 30 А, 200 Вт, [TO-3]

Фото 2/9 MJ11016G, Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 120 В, 30 А, 200 Вт, [TO-3]Фото 3/9 MJ11016G, Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 120 В, 30 А, 200 Вт, [TO-3]Фото 4/9 MJ11016G, Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 120 В, 30 А, 200 Вт, [TO-3]Фото 5/9 MJ11016G, Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 120 В, 30 А, 200 Вт, [TO-3]Фото 6/9 MJ11016G, Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 120 В, 30 А, 200 Вт, [TO-3]Фото 7/9 MJ11016G, Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 120 В, 30 А, 200 Вт, [TO-3]Фото 8/9 MJ11016G, Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 120 В, 30 А, 200 Вт, [TO-3]Фото 9/9 MJ11016G, Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 120 В, 30 А, 200 Вт, [TO-3]
Фото 1/9 MJ11016G, Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 120 В, 30 А, 200 Вт, [TO-3]
367 шт. со склада г.Москва
490 руб.
от 5 шт.468 руб.
от 50 шт.455 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 490 руб.
В кредит от 0 руб./мес
Номенклатурный номер: 53809829
Артикул: MJ11016G
Производитель: ON Semiconductor

Описание

NPN Darlington Transistors, ON Semiconductor

Технические параметры

Структура npn darlington
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 120
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 120
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 30
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 1000
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 4
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 200
Корпус то-3
Вес, г 18

Техническая документация

MJ11015 datasheet
pdf, 160 КБ

Дополнительная информация

Datasheet MJ11016G
Datasheet MJ11016G
Datasheet MJ11016G
Datasheet MJ11016G
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах