MJ11033G (8055426030)

Фото 1/4 MJ11033G
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Номенклатурный номер
8055426030
Бренд
Pd - рассеивание мощности
300 W
Вид монтажа
Through Hole
Высота
8.51 mm
Длина
38.86 mm
Категория продукта
Транзисторы Дарлингтона
Конфигурация
Single
Все параметры
Datasheet
pdf, 116 КБ
Все документы
28 шт. со склада г.Москва, срок 3-6 дней
1 620 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
2 шт. на сумму 3 240 руб.
Плати частями
от 810 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения2
Этот же товар с другими ценами и сроками поставки
Транзисторы Дарлингтона 50A 120V Bipolar Power PNP

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности 300 W
Вид монтажа Through Hole
Высота 8.51 mm
Длина 38.86 mm
Категория продукта Транзисторы Дарлингтона
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 400, 1000
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора 50 A
Минимальная рабочая температура 55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO) 120 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 120 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Непрерывный коллекторный ток 50 A
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора PNP
Размер фабричной упаковки 100
Серия MJ11033
Тип продукта Darlington Transistors
Торговая марка ON Semiconductor
Упаковка Tray
Упаковка / блок TO-204-2 (TO-3)
Ширина 26.67 mm
Maximum Base Emitter Saturation Voltage 4.5 V
Maximum Collector Base Voltage 120 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage 3.5 V
Maximum Collector Emitter Voltage 120 V
Maximum Continuous Collector Current 50 A
Maximum Emitter Base Voltage 5 V
Maximum Operating Temperature +200 °C
Maximum Power Dissipation 300 W
Minimum DC Current Gain 400
Minimum Operating Temperature -55 °C
Mounting Type Through Hole
Number of Elements per Chip 1
Package Type TO-204
Pin Count 2
Transistor Configuration Single
Transistor Type PNP
Width 26.67mm
Collector Current (Ic) 50A
Collector cut-off current (Icbo@Vcb) 2mA
Collector-emitter saturation voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) 3.5V@500mA, 50A
Collector-emitter voltage (Vceo) 120V
DC current gain (hFE@Vce,Ic) 1000@25A, 5V
Power Dissipation (Pd) 300W
Case TO3
Collector current 50A
Collector-emitter voltage 120V
Kind of package in-tray
Kind of transistor Darlington
Manufacturer ONSEMI
Mounting THT
Polarisation bipolar
Power dissipation 300W
Type of transistor PNP

Техническая документация

Datasheet
pdf, 116 КБ
Datasheet
pdf, 57 КБ

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.