MJD112-1G, NPN Darlington Power Tran

PartNumber: MJD112-1G
Ном. номер: 8007639352
Производитель: ON Semiconductor
MJD112-1G, NPN Darlington Power Tran
Доступно на заказ 15 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 4-5 недель.
55 × = 825
Количество товаров должно быть кратно 15 шт.

Описание

NPN Darlington Transistors, ON Semiconductor

Bipolar Transistors, ON Semiconductor
A wide range of Bipolar Transistors from ON Semiconductor, which includes the following categories:

Small Signal Transistors
General Purpose Transistors
Dual NPN and PNP Transistors
Power Transistors
High Voltage Transistors
RF Bipolar Transistors
Low Noise, Dual Matched and Complex Bipolar Transistors

Bipolar Transistors

Технические параметры

конфигурация
Single
размеры
6.73 x 2.38 x 6.35mm
высота
6.35mm
длина
6.73mm
Maximum Collector Base Voltage
100 V
Maximum Collector Cut-off Current
20µA
Maximum Collector Emitter Voltage
100 V
Maximum Continuous Collector Current
2 A
Maximum Emitter Base Voltage
5 V
максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальная рассеиваемая мощность
20 W
Minimum Operating Temperature
-65 °C
тип монтажа
Through Hole
Number of Elements per Chip
1
тип упаковки
IPAK
Pin Count
3
ширина
2.38mm
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
4 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
3 V
Minimum DC Current Gain
1000
Transistor Type
NPN

Дополнительная информация

(NJV)MJD112 NPN & (NJV)MJD117 PNP Complementary Darlington Power Transistors Data Sheet MJD112-1G