MJD122G, Транзистор Darlington NPN 100В 8А 17.5Вт [DPAK (2-pin + Tab)]

Фото 2/5 MJD122G, Транзистор Darlington NPN 100В 8А 17.5Вт [DPAK (2-pin + Tab)]Фото 3/5 MJD122G, Транзистор Darlington NPN 100В 8А 17.5Вт [DPAK (2-pin + Tab)]Фото 4/5 MJD122G, Транзистор Darlington NPN 100В 8А 17.5Вт [DPAK (2-pin + Tab)]Фото 5/5 MJD122G, Транзистор Darlington NPN 100В 8А 17.5Вт [DPAK (2-pin + Tab)]
Фото 1/5 MJD122G, Транзистор Darlington NPN 100В 8А 17.5Вт [DPAK (2-pin + Tab)]
26 шт. со склада г.Екатеринбург
32 руб.
от 40 шт.29 руб.
от 400 шт.по запросу
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 32 руб.
В кредит от 0 руб./мес
Посмотреть альтернативные предложения3
Посмотреть аналоги4
Номенклатурный номер: 9000060047
Артикул: MJD122G
Производитель: ON Semiconductor

Описание

NPN Darlington Transistors, ON Semiconductor

Технические параметры

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер 4 В
Максимальная рабочая температура +150 °C
Количество элементов на ИС 1
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер 4,5 В
Длина 6.73мм
Transistor Configuration Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база 100 В
Максимальный запирающий ток коллектора 0.01mA
Производитель ON Semiconductor
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) 100 В
Максимальный непрерывный ток коллектора 8 A
Тип корпуса DPAK (TO-252)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Минимальная рабочая температура -65 °C
Ширина 6.22мм
Тип транзистора NPN
Высота 2.38мм
Число контактов 3
Максимальное напряжение эмиттер-база 5 В
Размеры 6.73 x 6.22 x 2.38мм
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току 100
Вес, г 0.4

Техническая документация

Дополнительная информация

Datasheet MJD122G
Datasheet MJD122G
Datasheet MJD122G
Datasheet MJD122G
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах