MJD243G, Trans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
120 руб.
Мин. кол-во для заказа 375 шт.
Кратность заказа 75 шт.
от 525 шт. —
105 руб.
Добавить в корзину 375 шт.
на сумму 45 000 руб.
Описание
Semiconductor - Discrete > Transistors > BJT - General Purpose
Биполярные транзисторы - BJT 4A 100V 12.5W NPN
Технические параметры
| Pd - рассеивание мощности | 12.5 W |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Высота | 2.38 mm |
| Длина | 6.73 mm |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 40 |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 4 A |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 100 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 100 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.6 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 7 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 4 A |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | NPN |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 40 MHz |
| Размер фабричной упаковки | 75 |
| Серия | MJD243 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-252-3 |
| Ширина | 6.22 mm |
| Brand | ON Semiconductor |
| Collector- Base Voltage VCBO | 100 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 100 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage | 0.6 V |
| Configuration | Single |
| Continuous Collector Current | 4 A |
| DC Collector/Base Gain hfe Min | 40 |
| Emitter- Base Voltage VEBO | 7 V |
| Factory Pack Quantity | 75 |
| Gain Bandwidth Product fT | 40 MHz |
| Height | 2.38 mm |
| Length | 6.73 mm |
| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Maximum DC Collector Current | 4 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -65 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | TO-252-3 |
| Packaging | Tube |
| Pd - Power Dissipation | 12.5 W |
| Product Category | Bipolar Transistors-BJT |
| RoHS | Details |
| Series | MJD243 |
| Transistor Polarity | NPN |
| Unit Weight | 0.021341 oz |
| Width | 6.22 mm |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 107 КБ
Datasheet MJD243G
pdf, 237 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
