MJD253-1G, BIP DPAK PNP 4

PartNumber: MJD253-1G
Ном. номер: 8147182071
Производитель: ON Semiconductor
MJD253-1G, BIP DPAK PNP 4
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
61 руб.
Доступно на заказ 320 шт.
Отгрузка со склада в г.Москва
2-3 недели
от 100 шт. — 45 руб.
Кратность заказа 20 шт.
Добавить в корзину 20 шт. на сумму 1 220 руб.
PNP Power Transistors, ON Semiconductor

Semiconductors

Технические параметры

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
0,6 В пост. тока
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальная рабочая частота
10 MHz
Количество элементов на ИС
1
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
1,8 В пост. тока
Длина
6.73мм
Максимальное напряжение коллектор-база
100 В пост. тока
Transistor Configuration
Одинарный
Производитель
ON Semiconductor
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
100 В
Тип корпуса
IPAK (TO-251)
Максимальное рассеяние мощности
12,5 Вт
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Ширина
6.35мм
Максимальный пост. ток коллектора
4 А
Тип транзистора
PNP
Высота
2.38мм
Число контактов
3
Максимальное напряжение эмиттер-база
7 V
Размеры
6.73 x 6.35 x 2.38мм
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
15

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.