Мой регион:
Режим цен:
Добавить к сравнению Сравнить ()

MJD31CT4, Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 15 Вт, 3 А, 10 hFE

PartNumber: MJD31CT4
Ном. номер: 8008157406
Производитель: ST Microelectronics
MJD31CT4, Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 15 Вт, 3 А, 10 hFE
Доступно на заказ 2928 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 2-3 недели.
28 × = 28
от 30 шт. — 25 руб.
от 90 шт. — 21 руб.

Описание

The MJD31CT4 is a NPN low voltage Power Transistor manufactured using Planar technology with "Base Island" layout. The resulting transistor shows exceptional high gain performance coupled with very low saturation voltage.

• Surface-mount power package
• PNP complementary to the type is MJD32C

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура
150°C
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1 - Безлимитный
Напряжение Коллектор-Эмиттер
100В
Стиль Корпуса Транзистора
TO-252
Рассеиваемая Мощность
15Вт
Полярность Транзистора
NPN
DC Ток Коллектора
DC Усиление Тока hFE
10hFE

Дополнительная информация

Datasheet MJD31CT4