Мой регион:
Режим цен:

MJD45H11-1G, PNP Power Transistor 80V

PartNumber: MJD45H11-1G
Ном. номер: 8004658198
Производитель: ON Semiconductor
MJD45H11-1G, PNP Power Transistor 80V
Доступно на заказ 15 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 4-5 недель.
58 × = 870
Количество товаров должно быть кратно 15 шт.

Описание

PNP Power Transistors, ON Semiconductor

Bipolar Transistors, ON Semiconductor
A wide range of Bipolar Transistors from ON Semiconductor, which includes the following categories:

Small Signal Transistors
General Purpose Transistors
Dual NPN and PNP Transistors
Power Transistors
High Voltage Transistors
RF Bipolar Transistors
Low Noise, Dual Matched and Complex Bipolar Transistors

Bipolar Transistors

Технические параметры

конфигурация
Single
размеры
6.73 x 2.38 x 6.22mm
высота
6.22mm
длина
6.73mm
Maximum Collector Base Voltage
10 V dc
Maximum Collector Emitter Voltage
80 V
Maximum DC Collector Current
8 A
Maximum Emitter Base Voltage
5 V
Maximum Operating Frequency
20 MHz
максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальная рассеиваемая мощность
20 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
тип монтажа
Through Hole
Number of Elements per Chip
1
тип упаковки
IPAK
Pin Count
3
ширина
2.38mm
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
1.5 V dc
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
1 V dc
Minimum DC Current Gain
40
Transistor Type
PNP

Дополнительная информация

MJD44H11 NPN & MJD45H11 PNP Complementary Power Transistors Data Sheet MJD45H11-1G