MJE200G, Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 5 А, 15 Вт, TO-225, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
180 руб.
Мин. кол-во для заказа 15 шт.
от 100 шт. —
116 руб.
Добавить в корзину 15 шт.
на сумму 2 700 руб.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT 5A 25V 15W NPN
Технические параметры
| Pd - рассеивание мощности | 15 W |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Высота | 11.04 mm |
| Длина | 7.74 mm |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 70 |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 5 A |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 40 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 25 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.8 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 8 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 5 A |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | NPN |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 65 MHz |
| Размер фабричной упаковки | 500 |
| Серия | MJE200 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка | Bulk |
| Упаковка / блок | TO-225-3 |
| Ширина | 2.66 mm |
| Maximum Collector Base Voltage | 25 V dc |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 40 V dc |
| Maximum DC Collector Current | 10 A |
| Maximum Emitter Base Voltage | 8 V dc |
| Maximum Operating Frequency | 10 MHz |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 15 W |
| Minimum DC Current Gain | 45 |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-225 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Type | NPN |
| Automotive | No |
| Configuration | Single |
| ECCN (US) | EAR99 |
| EU RoHS | Compliant |
| Lead Shape | Through Hole |
| Material | Si |
| Maximum Base Current (A) | 1 |
| Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V) | 2.5@1A@5A |
| Maximum Collector Base Voltage (V) | 40 |
| Maximum Collector Cut-Off Current (nA) | 100 |
| Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 0.3@50mA@500mA|0.75@200mA@2A|1.8@1A@5A |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 25 |
| Maximum DC Collector Current (A) | 5 |
| Maximum Emitter Base Voltage (V) | 8 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 15000 |
| Maximum Transition Frequency (MHz) | 65(Min) |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -65 |
| Mounting | Through Hole |
| Operating Junction Temperature (°C) | -65 to 150 |
| Packaging | Box |
| Part Status | Active |
| PCB changed | 3 |
| PPAP | No |
| Product Category | Bipolar Power |
| Standard Package Name | TO |
| Supplier Package | TO-225 |
| Tab | Tab |
| Type | NPN |
| Вес, г | 0.68 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
