MJH6284G, Биполярный транзистор, дарлингтона, NPN, 100 В, 4 МГц, 160 Вт, 20 А, 18000 hFE

PartNumber: MJH6284G
Ном. номер: 8040299883
Производитель: ON Semiconductor
Фото 1/2 MJH6284G, Биполярный транзистор, дарлингтона, NPN, 100 В, 4 МГц, 160 Вт, 20 А, 18000 hFE
Фото 2/2 MJH6284G, Биполярный транзистор, дарлингтона, NPN, 100 В, 4 МГц, 160 Вт, 20 А, 18000 hFE
Доступно на заказ 76 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 2-3 недели.
430 руб. × = 430 руб.
от 25 шт. — 345 руб.

Описание

The MJH6284G is a 100V Silicon NPN Bipolar Complementary Darlington Power Transistor designed for use as general purpose amplifiers, low frequency switching and motor control applications. The transistor has monolithic construction with built-in base-emitter shunt resistor.

• Rugged RBSOA characteristics
• Collector-base voltage (Vcbo = 100V)
• Emitter-base voltage (Vcbo = 5V)

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура
150 C
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Напряжение Коллектор-Эмиттер
100В
Стиль Корпуса Транзистора
TO-247
Рассеиваемая Мощность
160Вт
Полярность Транзистора
NPN
DC Ток Коллектора
20А
DC Усиление Тока hFE
18000hFE
Частота Перехода ft
4МГц

Дополнительная информация

Datasheet MJH6284G
MJH6284 NPN & MJH6287 PNP Complementary Power Transistors Data Sheet