MMBF170LT1G-VB, Транзистор N-MOSFET 60В 0.25А 0.3Вт [SOT-23-3]

MMBF170LT1G-VB, Транзистор N-MOSFET 60В 0.25А 0.3Вт [SOT-23-3]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Номенклатурный номер
9001185607
Артикул
MMBF170LT1G-VB
Структура
N-канал
Корпус
SOT-23-3
Вес, г
0.1
Все параметры
Datasheet MMBF170LT1G
pdf, 1611 КБ
Все документы
4343 шт. со склада г.Москва
15 руб.
от 100 шт.13 руб.
от 1000 шт.12 руб.
1 шт. на сумму 15 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения2
Этот же товар с другими ценами и сроками поставки
Посмотреть аналоги1
Товары со схожими характеристиками
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 0.25
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 3.3 Ом/0.2А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 0.3
Корпус SOT-23-3
Пороговое напряжение на затворе 1…2.5
Вес, г 0.1
Datasheet MMBF170LT1G
pdf, 1611 КБ
MMBF170LT1G
pdf, 359 КБ

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.