MMBF2201NT1G
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
Номенклатурный номер
8045283993
Бренд
Channel Type
N Channel
Power Dissipation
150мВт
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Монтаж транзистора
Surface Mount
Напряжение Измерения Rds(on)
10В
Напряжение Истока-стока Vds
20В
Все параметры
Datasheet
pdf, 192 КБ
351 шт. со склада г.Москва, срок 6-7 дней
16 руб.
1 шт.
на сумму 16 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Этот же товар с другими ценами и сроками поставки
The MMBF2201NT1G is a N-channel miniature surface-mount Power MOSFET with low RDS (ON) assure minimal power loss and conserve energy. The device is ideal for use in space sensitive power management circuitry. It is suitable for DC-to-DC converters, power management in portable and battery-powered products such as printers, PCMCIA cards, cellular and cordless telephones.
• Low RDS (ON) provides higher efficiency and extends battery life
• Miniature surface-mount package saves board space
• -55 to 150°C Operating temperature range
Технические параметры
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 1Ом |
| Power Dissipation | 150мВт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 20В |
| Непрерывный Ток Стока | 300мА |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 1.7В |
| Рассеиваемая Мощность | 150мВт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 1Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-323 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Case | SC70, SOT323 |
| Drain current | 0.24A |
| Drain-source voltage | 20V |
| Gate charge | 1.4nC |
| Gate-source voltage | ±20V |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | reel, tape |
| Manufacturer | ONSEMI |
| Mounting | SMD |
| On-state resistance | 1Ω |
| Polarisation | unipolar |
| Pulsed drain current | 750A |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Continuous Drain Current (Id) | 300mA |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 45pF@5V |
| Power Dissipation (Pd) | 150mW |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 192 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.