MMBFJ111, Транзистор N-JFET 35В 0.05 0.35Вт [SOT-23-3]
![Фото 1/3 MMBFJ111, Транзистор N-JFET 35В 0.05 0.35Вт [SOT-23-3]](https://static.chipdip.ru/lib/255/DOC005255375.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
60 руб.
от 100 шт. —
54 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 60 руб.
Описание
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Технические параметры
| Brand | ON Semiconductor/Fairchild |
| Configuration | Single |
| Drain-Source Current at Vgs=0 | 5 mA |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Gate-Source Cutoff Voltage | -10 V |
| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Operating Temperature Range | -55 C to+150 C |
| Package / Case | SOT-23 |
| Packaging | Cut Tape |
| Part # Aliases | MMBFJ111_NL |
| Pd - Power Dissipation | 350 mW |
| Product Category | JFET |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 30 Ohms |
| RoHS | Details |
| Series | MMBFJ111 |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Type | JFET |
| Unit Weight | 0.000282 oz |
| Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage | -35 V |
| Вес, г | 0.1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 444 КБ
Datasheet
pdf, 151 КБ
Datasheet MMBFJ113
pdf, 322 КБ
Документация
pdf, 451 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
