MMBFJ177LT1G, Транзистор, P-канал, 30В 50мА 225мВт [SOT-23]
![Фото 1/6 MMBFJ177LT1G, Транзистор, P-канал, 30В 50мА 225мВт [SOT-23]](https://static.chipdip.ru/lib/255/DOC005255375.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
54 руб.
от 100 шт. —
37 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 54 руб.
Описание
Описание Транзистор P-JFET, полевой, 225мВт, SOT23, 50мА Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | JFET |
Технические параметры
| Структура | P-канал |
| Напряжение пробоя (V(br)gss), В | 30 |
| Ток утечки (Idss), мА | 1.5…20 |
| при Vds, В (Vgs=0) | 15 |
| Напряжение отсечки (Vgs off), В | 0.8…2.5 |
| при Id, нА | 10 |
| Сопротивление канала (RDS(On)), Ом | 300(max) |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 0.225 |
| Рабочая температура (Tj), °C | -55…+150 |
| Корпус | sot-23 |
| Вес, г | 0.05 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet MMBFJ177LT1G
pdf, 70 КБ
Datasheet SMMBFJ177LT1G
pdf, 73 КБ
MMBFJ177
pdf, 240 КБ
MMBFJ177LT1G, SMMBFJ177LT1G
pdf, 119 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
С этим товаром покупают
