MMBFJ309, ПТ с управляющим p-n-переходом (JFET), полевой транзистор с p-n переходом, -25 В, 12 мА, 30 мА

PartNumber: MMBFJ309
Ном. номер: 8114621264
Производитель: Fairchild Semiconductor
MMBFJ309, ПТ с управляющим p-n-переходом (JFET), полевой транзистор с p-n переходом, -25 В, 12 мА, 30 мА
Доступно на заказ 418 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 2-3 недели.
26 руб. × = 26 руб.
от 50 шт. — 23 руб.
от 100 шт. — 13 руб.

Описание

The MMBFJ309 is a N-channel RF JFET designed for VHF/UHF amplifier, oscillator and mixer applications.

• Interchangeable source and drain
• 25V Drain-source voltage
• -25V Gate-source voltage
• 10mA Forward gate current

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Полевые Транзисторы с Управляющим P-N-переходом (JFET)

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура
150°C
Количество Выводов
3 Вывода
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1 - Безлимитный
Стиль Корпуса Транзистора
SOT-23
Напряжение Пробоя Vbr
-25В
Мин. Ток Стока при Напряжении = 0 (Idss min)
12мА
Макс. Напряжение Откл. Затвор-исток Vgs(off)
-4В
Тип Транзистора
Радиочастотный Полевой Транзистор
Макс. Ток Стока при Напряжении = 0 (Idss max)
30мА

Дополнительная информация

Datasheet MMBFJ309