MMBFJ309LT1G, Транзистор N-JFET 25В 30мА 0.225 Вт [SOT-23-3]
![Фото 1/4 MMBFJ309LT1G, Транзистор N-JFET 25В 30мА 0.225 Вт [SOT-23-3]](https://static.chipdip.ru/lib/255/DOC005255375.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
35 руб.
от 100 шт. —
32 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 35 руб.
Описание
MMBFJ309 - RF Small Signal Field-Effect Transistor, Ultra High Frequency Band, N-Channel JFET
Технические параметры
| Channel Mode | Depletion |
| Channel Type | N |
| Configuration | Single |
| Drain Source Voltage (Max) | 25(V) |
| Drain-Source Volt (Max) | 25(V) |
| Gate-Source Voltage (Max) | 25(V) |
| Mounting | Surface Mount |
| Number of Elements | 1 |
| Operating Temp Range | -55C to 150C |
| Operating Temperature (Max) | 150C |
| Operating Temperature (Min) | -55C |
| Operating Temperature Classification | Military |
| Package Type | SOT-23 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Rad Hardened | No |
| Screening Level | Military |
| Вес, г | 0.05 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet MMBFJ309L, MMBFJ310L
pdf, 181 КБ
Datasheet MMBFJ310LT1G
pdf, 121 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
С этим товаром покупают
