MMBT100, Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 500 мА, 350 мВт, SOT-23, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
14 руб.
Кратность заказа 3000 шт.
Добавить в корзину 3000 шт.
на сумму 42 000 руб.
Описание
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Одиночные Массивы Транзисторов - BJT
Биполярные транзисторы - BJT NPN Transistor General Purpose
Технические параметры
Collector Emitter Voltage Max | 45В |
Continuous Collector Current | 500мА |
DC Current Gain hFE Min | 80hFE |
DC Усиление Тока hFE | 80hFE |
Power Dissipation | 350мВт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Полярность Транзистора | NPN |
Стиль Корпуса Транзистора | SOT-23 |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Частота Перехода ft | 250МГц |
Pd - рассеивание мощности | 350 mW |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Высота | 0.93 mm |
Длина | 2.92 mm |
Другие названия товара № | MMBT100_NL |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
Конфигурация | Single |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 450 |
Максимальный постоянный ток коллектора | 0.5 A |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 75 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 45 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.4 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
Непрерывный коллекторный ток | 0.5 A |
Подкатегория | Transistors |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 250 MHz |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Серия | MMBT100 |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
Торговая марка | ON Semiconductor / Fairchild |
Упаковка / блок | SOT-23-3 |
Ширина | 1.3 mm |
Вес, г | 0.02 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 246 КБ
Datasheet MMBT100
pdf, 261 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов