Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные (BJTs) › ON Semiconductor › MMBT100, Биполярный транзистор, NPN, 45 В ...

MMBT100, Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 500 мА, 350 мВт, SOT-23, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

14 руб.

Кратность заказа 3000 шт.

Добавить в корзину 3000 шт. на сумму 42 000 руб.

Номенклатурный номер: 8001086695

Артикул: MMBT100

Бренд: ON Semiconductor***

Описание

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Одиночные Массивы Транзисторов - BJT

Биполярные транзисторы - BJT NPN Transistor General Purpose

Технические параметры

Collector Emitter Voltage Max	45В
Continuous Collector Current	500мА
DC Current Gain hFE Min	80hFE
DC Усиление Тока hFE	80hFE
Power Dissipation	350мВт
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура	150°C
Монтаж транзистора	Surface Mount
Полярность Транзистора	NPN
Стиль Корпуса Транзистора	SOT-23
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)	MSL 1-Безлимитный
Частота Перехода ft	250МГц
Pd - рассеивание мощности	350 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Высота	0.93 mm
Длина	2.92 mm
Другие названия товара №	MMBT100_NL
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	450
Максимальный постоянный ток коллектора	0.5 A
Минимальная рабочая температура	55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	75 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	45 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	0.4 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	6 V
Непрерывный коллекторный ток	0.5 A
Подкатегория	Transistors
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	250 MHz
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	MMBT100
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	ON Semiconductor / Fairchild
Упаковка / блок	SOT-23-3
Ширина	1.3 mm
Вес, г	0.02