MMBT2222AWT1G, Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 0.6 А

Фото 1/3 MMBT2222AWT1G, Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 0.6 А
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
4 руб.
Мин. кол-во для заказа 122 шт.
от 597 шт.3 руб.
от 1194 шт.2.10 руб.
от 3000 шт.1.80 руб.
Добавить в корзину 122 шт. на сумму 488 руб.
Номенклатурный номер: 8105184743
Артикул: MMBT2222AWT1G

Описание

Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные биполярные транзисторы
Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 0.6 А

Технические параметры

Корпус sot-323
Collector Emitter Voltage Max 40В
Continuous Collector Current 600мА
DC Current Gain hFE Min 35hFE
DC Усиление Тока hFE 35hFE
Power Dissipation 150мВт
Квалификация AEC-Q101
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Линейка Продукции MMBTxxxx
Максимальная Рабочая Температура 150 C
Монтаж транзистора Surface Mount
Полярность Транзистора NPN
Стиль Корпуса Транзистора SOT-323
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1-Безлимитный
Частота Перехода ft 300МГц
Maximum Collector Base Voltage 75 V
Maximum Collector Emitter Voltage 40 V
Maximum DC Collector Current 600 mA
Maximum Emitter Base Voltage 6 V
Maximum Operating Frequency 100 MHz
Maximum Operating Temperature +150 °C
Maximum Power Dissipation 150 mW
Minimum DC Current Gain 100
Mounting Type Surface Mount
Number of Elements per Chip 1
Package Type SOT-323(SC-70)
Pin Count 3
Transistor Configuration Single
Transistor Type NPN
Вес, г 0.03

Техническая документация

Datasheet
pdf, 180 КБ
Datasheet MMBT2222AWT1G
pdf, 121 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов