MMBT2907ALT3G, ON Semi PNP Transistor, 600 mA, 60 V, 3-Pin SOT-23

Фото 2/6 MMBT2907ALT3G, ON Semi PNP Transistor, 600 mA, 60 V, 3-Pin SOT-23Фото 3/6 MMBT2907ALT3G, ON Semi PNP Transistor, 600 mA, 60 V, 3-Pin SOT-23Фото 4/6 MMBT2907ALT3G, ON Semi PNP Transistor, 600 mA, 60 V, 3-Pin SOT-23Фото 5/6 MMBT2907ALT3G, ON Semi PNP Transistor, 600 mA, 60 V, 3-Pin SOT-23Фото 6/6 MMBT2907ALT3G, ON Semi PNP Transistor, 600 mA, 60 V, 3-Pin SOT-23
Фото 1/6 MMBT2907ALT3G, ON Semi PNP Transistor, 600 mA, 60 V, 3-Pin SOT-23
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
5400 шт. со склада г.Москва, срок 8-9 рабочих дней
5 руб.
Кратность заказа 200 шт.
Добавить в корзину 200 шт. на сумму 1 000 руб.
Посмотреть альтернативные предложения3
Посмотреть аналоги9
Номенклатурный номер: 8469912043
Артикул: MMBT2907ALT3G
Производитель: ON Semiconductor

Описание

Semiconductors
General Purpose PNP Transistors, Up to 1A, ON Semiconductor

Технические параметры

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage -1.6 V
Maximum Operating Temperature +150 °C
Maximum Operating Frequency 100 МГц
Number of Elements per Chip 1
Maximum Base Emitter Saturation Voltage -2.6 V
Length 3.04mm
Maximum Collector Base Voltage -60 V
Transistor Configuration Одинарный
Brand ON Semiconductor
Maximum Collector Emitter Voltage 60 В
Package Type SOT-23
Maximum Power Dissipation 225 mW, 300 mW, 350 mW
Mounting Type Поверхностный монтаж
Minimum Operating Temperature -55 °C
Width 1.4мм
Maximum DC Collector Current 600 mA
Transistor Type PNP
Height 1.01mm
Pin Count 2
Dimensions 3.04 x 1.4 x 1.01mm
Maximum Emitter Base Voltage -5 V
Minimum DC Current Gain 50
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage -1,6 В
Максимальная рабочая температура +150 °C
Maximum Operating Frequency 100 МГц
Количество элементов на ИС 1
Maximum Base Emitter Saturation Voltage -2,6 В
Конфигурация транзистора Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база -60 В
Brand ON Semiconductor
Maximum Collector Emitter Voltage 60 В
Package Type SOT-23
Максимальное рассеяние мощности 225 мВт, 300 мВт, 350 мВт
Mounting Type Поверхностный монтаж
Максимальный пост. ток коллектора 600 мА
Тип транзистора PNP
Pin Count 3
Размеры 3.04 x 1.4 x 1.01мм
Максимальное напряжение эмиттер-база -5 В
Pd - рассеивание мощности 225 mW
Вид монтажа SMD/SMT
Высота 0.94 mm
Длина 2.9 mm
Категория продукта Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 75
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора 0.6 A
Минимальная рабочая температура 55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO) 60 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 60 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.6 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Непрерывный коллекторный ток 0.6 A
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) 200 MHz
Размер фабричной упаковки 10000
Серия MMBT2907AL
Технология Si
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка ON Semiconductor
Упаковка / блок SOT-23-3
Ширина 1.3 mm
Base Product Number MMBT2907 ->
Current - Collector (Ic) (Max) 600mA
Current - Collector Cutoff (Max) 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 150mA, 10V
ECCN EAR99
Frequency - Transition 200MHz
HTSUS 8541.21.0075
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Power - Max 300mW
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Supplier Device Package SOT-23-3 (TO-236)
Transistor Type PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.6V @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60V

Дополнительная информация

Datasheet MMBT2907ALT3G
Datasheet MMBT2907ALT3G
Datasheet MMBT2907ALT3G

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах