MMBT3906LT1G, PNP биполярный транзистор

Артикул: MMBT3906LT1G
Ном. номер: 54459776
Производитель: ON Semiconductor
Фото 1/4 MMBT3906LT1G, PNP биполярный транзистор
Фото 2/4 MMBT3906LT1G, PNP биполярный транзисторФото 3/4 MMBT3906LT1G, PNP биполярный транзисторФото 4/4 MMBT3906LT1G, PNP биполярный транзистор
Есть в наличии более 2500 шт. Отгрузка со склада в г.Москва
Возможна срочная доставка завтра
1 руб. × = 1 руб.
от 250 шт. — 0.85 руб.
от 2500 шт. — 0.80 руб.
Цена и наличие в магазинах

Описание

The MMBT3906LT1G is a PNP silicon Bipolar Transistor designed for use in linear and switching applications.

• Halogen-free/BFR-free
• AEC-Q101 qualified and PPAP capable

Технические параметры

Структура
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В
40
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)
Статический коэффициент передачи тока h21э мин
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт
Корпус

Техническая документация

MMBT3906LT1-D
pdf, 96 КБ

Дополнительная информация

Datasheet MMBT3906LT1G
Datasheet MMBT3906LT1G
Datasheet MMBT3906LT1G