MMBT3906LT1G, Биполярный транзистор, PNP, 40 В, 0.1 А, 0.35 Вт, [SOT-23-2]

Фото 2/6 MMBT3906LT1G, Биполярный транзистор, PNP, 40 В, 0.1 А, 0.35 Вт, [SOT-23-2]Фото 3/6 MMBT3906LT1G, Биполярный транзистор, PNP, 40 В, 0.1 А, 0.35 Вт, [SOT-23-2]Фото 4/6 MMBT3906LT1G, Биполярный транзистор, PNP, 40 В, 0.1 А, 0.35 Вт, [SOT-23-2]Фото 5/6 MMBT3906LT1G, Биполярный транзистор, PNP, 40 В, 0.1 А, 0.35 Вт, [SOT-23-2]Фото 6/6 MMBT3906LT1G, Биполярный транзистор, PNP, 40 В, 0.1 А, 0.35 Вт, [SOT-23-2]
Фото 1/6 MMBT3906LT1G, Биполярный транзистор, PNP, 40 В, 0.1 А, 0.35 Вт, [SOT-23-2]
6519 шт. со склада г.Москва
4 руб.
от 100 шт.2.70 руб.
от 1000 шт.2.30 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 4 руб.
В кредит от 0 руб./мес
Посмотреть аналоги1
Номенклатурный номер: 54459776
Артикул: MMBT3906LT1G
Производитель: ON Semiconductor

Описание

Малосигнальные транзисторы PNP, ON Semiconductor

Технические параметры

Структура pnp
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 40
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 40
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.2
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 100
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 250
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 0.3
Корпус sot-23
Вес, г 0.05

Техническая документация

MMBT3906LT1-D
pdf, 96 КБ
Datasheet
pdf, 156 КБ
Datasheet
pdf, 125 КБ
Datasheet
pdf, 154 КБ

Дополнительная информация

SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах