MMBT3906LT3G, Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
4 руб.
Кратность заказа 10000 шт.
Добавить в корзину 10000 шт.
на сумму 40 000 руб.
Посмотреть аналоги6
Технические параметры
Brand: | onsemi |
Collector- Base Voltage VCBO: | 40 V |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 40 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage: | 400 mV |
Configuration: | Single |
Continuous Collector Current: | -0.2 A |
DC Collector/Base Gain hFE Min: | 60 |
Emitter- Base Voltage VEBO: | 5 V |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 10000 |
Gain Bandwidth Product fT: | 250 MHz |
Manufacturer: | onsemi |
Maximum DC Collector Current: | 200 mA |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Package/Case: | SOT-23-3 |
Pd - Power Dissipation: | 225 mW |
Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
Series: | MMBT3906L |
Subcategory: | Transistors |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | PNP |
Maximum Collector Base Voltage | -40 V dc |
Maximum Collector Emitter Voltage | 40 V |
Maximum DC Collector Current | 800 mA |
Maximum Emitter Base Voltage | -5 V |
Maximum Operating Frequency | 100 MHz |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 225 mW |
Minimum DC Current Gain | 100 |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | SOT-23 |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Type | PNP |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов