MMBT3906LT3G, Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R

Фото 1/3 MMBT3906LT3G, Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
4 руб.
Кратность заказа 10000 шт.
Добавить в корзину 10000 шт. на сумму 40 000 руб.
Посмотреть аналоги6
Номенклатурный номер: 8001148991
Артикул: MMBT3906LT3G

Технические параметры

Brand: onsemi
Collector- Base Voltage VCBO: 40 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 40 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 400 mV
Configuration: Single
Continuous Collector Current: -0.2 A
DC Collector/Base Gain hFE Min: 60
Emitter- Base Voltage VEBO: 5 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 10000
Gain Bandwidth Product fT: 250 MHz
Manufacturer: onsemi
Maximum DC Collector Current: 200 mA
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: SMD/SMT
Package/Case: SOT-23-3
Pd - Power Dissipation: 225 mW
Product Category: Bipolar Transistors-BJT
Product Type: BJTs-Bipolar Transistors
Series: MMBT3906L
Subcategory: Transistors
Technology: Si
Transistor Polarity: PNP
Maximum Collector Base Voltage -40 V dc
Maximum Collector Emitter Voltage 40 V
Maximum DC Collector Current 800 mA
Maximum Emitter Base Voltage -5 V
Maximum Operating Frequency 100 MHz
Maximum Operating Temperature +150 °C
Maximum Power Dissipation 225 mW
Minimum DC Current Gain 100
Mounting Type Surface Mount
Number of Elements per Chip 1
Package Type SOT-23
Pin Count 3
Transistor Configuration Single
Transistor Type PNP
Вес, г 1

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 156 КБ
Datasheet
pdf, 134 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов