MMBT4401LT3G, 40V 225mW 100@150mA,1V 600mA 250MHz 750mV@500mA,50mA NPN -55°C~+150°C@(Tj) SOT-23 BIpolar TransIstors - BJT

Фото 1/2 MMBT4401LT3G, 40V 225mW 100@150mA,1V 600mA 250MHz 750mV@500mA,50mA NPN -55°C~+150°C@(Tj) SOT-23 BIpolar TransIstors - BJT
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
19 руб.
Кратность заказа 10 шт.
от 100 шт.12 руб.
от 300 шт.9.20 руб.
Добавить в корзину 10 шт. на сумму 190 руб.
Посмотреть аналоги2
Номенклатурный номер: 8017646445
Артикул: MMBT4401LT3G

Технические параметры

Maximum Collector Base Voltage 60 V dc
Maximum Collector Emitter Voltage 40 V
Maximum DC Collector Current 600 mA
Maximum Emitter Base Voltage 6 V
Maximum Operating Frequency 100 MHz
Maximum Operating Temperature +150 °C
Maximum Power Dissipation 225 mW
Minimum DC Current Gain 100
Mounting Type Surface Mount
Number of Elements per Chip 1
Package Type SOT-23
Pin Count 3
Transistor Configuration Single
Transistor Type NPN
Вес, г 0.05

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet SMMBT4401LT1G
pdf, 170 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов