MMBT4403WT1G, Bipolar Transistors - BJT 600mA 40V PNP
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
40 руб.
от 10 шт. —
29 руб.
от 100 шт. —
17 руб.
от 1000 шт. —
7.48 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 40 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Технические параметры
| Brand: | onsemi |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 40 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 40 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 750 mV |
| Configuration: | Single |
| Continuous Collector Current: | -0.6 A |
| DC Collector/Base Gain hfe Min: | 30 |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 5 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Gain Bandwidth Product fT: | 200 MHz |
| Manufacturer: | onsemi |
| Maximum DC Collector Current: | 600 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SC-70-3 |
| Pd - Power Dissipation: | 225 mW |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Series: | MMBT4403W |
| Subcategory: | Transistors |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | PNP |
| Collector Emitter Voltage Max | 40В |
| Continuous Collector Current | 600мА |
| DC Current Gain hFE Min | 20hFE |
| DC Усиление Тока hFE | 20hFE |
| Power Dissipation | 150мВт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Полярность Транзистора | PNP |
| Стиль Корпуса Транзистора | SC-70 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Частота Перехода ft | 200МГц |
| Brand | ON Semiconductor |
| Collector- Base Voltage VCBO | -40 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | -40 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage | -0.75 V |
| Configuration | Single |
| DC Collector/Base Gain Hfe Min | 30 |
| Emitter- Base Voltage VEBO | 5 V |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Gain Bandwidth Product FT | 200 MHz |
| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Maximum DC Collector Current | 0.6 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SC-70-3 |
| Packaging | Cut Tape or Reel |
| Pd - Power Dissipation | 225 mW |
| Product Category | Bipolar Transistors-BJT |
| Product Type | BJTs-Bipolar Transistors |
| Series | MMBT4403W |
| Subcategory | Transistors |
| Transistor Polarity | PNP |
| Вес, г | 0.01 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 234 КБ
Datasheet MMBT4403WT1G
pdf, 140 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
