MMBT5089LT1G, Биполярный транзистор, универсальный, NPN, 25 В, 50 МГц, 225 мВт, 50 мА, 50 hFE

PartNumber: MMBT5089LT1G
Ном. номер: 8055066884
Производитель: ON Semiconductor
Фото 1/3 MMBT5089LT1G, Биполярный транзистор, универсальный, NPN, 25 В, 50 МГц, 225 мВт, 50 мА, 50 hFE
Фото 2/3 MMBT5089LT1G, Биполярный транзистор, универсальный, NPN, 25 В, 50 МГц, 225 мВт, 50 мА, 50 hFEФото 3/3 MMBT5089LT1G, Биполярный транзистор, универсальный, NPN, 25 В, 50 МГц, 225 мВт, 50 мА, 50 hFE
Доступно на заказ 2035 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 2-3 недели.
8 руб. × = 40 руб.
Количество товаров должно быть кратно 5 шт.
от 25 шт. — 4.10 руб.
от 100 шт. — 2.50 руб.

Описание

The MMBT5089LT1G is a NPN Bipolar Transistor designed for high gain and low noise general purpose amplifier applications. The device is housed in the package which is designed for lower power surface-mount applications.

• Low RDS (ON) provides higher efficiency and extends battery life
• Saves board space
• AEC-Q101 qualified and PPAP capable

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы

Технические параметры

Линия Продукции
MMBTxxxx Series
Максимальная Рабочая Температура
150 C
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Напряжение Коллектор-Эмиттер
25В
Стиль Корпуса Транзистора
SOT-23
Рассеиваемая Мощность
225мВт
Полярность Транзистора
NPN
DC Ток Коллектора
50мА
DC Усиление Тока hFE
50hFE
Частота Перехода ft
50МГц

Дополнительная информация

Datasheet MMBT5089LT1G
MMBT5088LT1G, SMMBT5088LT1G, MMBT5089LT1G, SMMBT5089LT1G, Low Noise NPN Silicon Transistors