MMBT589LT1G, Биполярный транзистор, AEC-Q101, PNP, -30 В, 100 МГц, 310 мВт, -1 А, 40 hFE

PartNumber: MMBT589LT1G
Ном. номер: 8013440790
Производитель: ON Semiconductor
MMBT589LT1G, Биполярный транзистор, AEC-Q101, PNP, -30 В, 100 МГц, 310 мВт, -1 А, 40 hFE
Доступно на заказ 1975 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 2-3 недели.
34 руб. × = 170 руб.
Количество товаров должно быть кратно 5 шт.
от 50 шт. — 15 руб.
от 250 шт. — 14 руб.

Описание

The MMBT589LT1G is a 1A PNP high current Bipolar Transistor designed for use in low voltage, high speed switching applications where affordable efficient energy control is important. It is a miniature surface-mount device featuring ultra-low saturation voltage VCE(sat) and high current gain capability.

• Low RDS (ON) provides higher efficiency and extends battery life
• Saves board space
• AEC-Q101 qualified and PPAP capable

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура
150°C
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1 - Безлимитный
Стандарты Автомобильной Промышленности
AEC-Q101
Напряжение Коллектор-Эмиттер
-30В
Стиль Корпуса Транзистора
SOT-23
Рассеиваемая Мощность
310мВт
Полярность Транзистора
PNP
DC Ток Коллектора
-1А
DC Усиление Тока hFE
40hFE
Частота Перехода ft
100МГц

Дополнительная информация

Datasheet MMBT589LT1G