MMBT6427LT1G, Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 40 В, 0.5 А, 0.225 Вт

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

18 руб.

Мин. кол-во для заказа 27 шт.

от 138 шт. — 14 руб.

от 275 шт. — 12 руб.

от 549 шт. — 11 руб.

Добавить в корзину 27 шт. на сумму 486 руб.

Номенклатурный номер: 8102294951

Артикул: MMBT6427LT1G

Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные биполярные транзисторы

Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 40 В, 0.5 А, 0.225 Вт

Корпус	sot-23
Collector Current (Ic)	500mA
Collector cut-off current (Icbo@Vcb)	1uA
Collector-emitter saturation voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)	1.5V@500mA, 500uA
Collector-emitter voltage (Vceo)	40V
DC current gain (hFE@Vce,Ic)	20000@5V, 100mA
Operating Temperature	-55℃~+150℃@(Tj)
Power Dissipation (Pd)	225mW
Transistor Type	NPN
Transition frequency (fT)	-
Вес, г	0.03

pdf, 186 КБ

Мы рекомендуем