Мой регион: Россия

MMBT6427LT1G, Биполярный транзистор, дарлингтона, NPN, 40 В, 225 мВт, 500 мА, 200 hFE

Ном. номер: 8171881482
PartNumber: MMBT6427LT1G
Производитель: ON Semiconductor
Фото 1/3 MMBT6427LT1G, Биполярный транзистор, дарлингтона, NPN, 40 В, 225 мВт, 500 мА, 200 hFE
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/3 MMBT6427LT1G, Биполярный транзистор, дарлингтона, NPN, 40 В, 225 мВт, 500 мА, 200 hFEФото 3/3 MMBT6427LT1G, Биполярный транзистор, дарлингтона, NPN, 40 В, 225 мВт, 500 мА, 200 hFE
22 руб.
13510 шт. со склада г.Москва,
срок 2-3 недели
от 50 шт. — 21 руб.
от 100 шт. — 7.50 руб.
Кратность заказа 5 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
5 руб. 4 дня, 2903 шт. 1 шт. 144 шт.
от 307 шт. — 3 руб.
от 614 шт. — 1.80 руб.
19 руб. 3-4 недели, 6389 шт. 1 шт. 10 шт.
от 25 шт. — 18.80 руб.
9 руб. 8 дней, 12000 шт. 100 шт. 100 шт.
от 2500 шт. — 4.90 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.

The MMBT6427LT1G is a NPN bipolar Darlington Transistor designed for use in switching applications, such as print hammer, relay, solenoid and lamp drivers. The device is housed in the package which is designed for lower power surface-mount applications.

• AEC-Q101 qualified and PPAP capable

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура
Количество Выводов
Стандарты Автомобильной Промышленности
Напряжение Коллектор-Эмиттер
Стиль Корпуса Транзистора
Рассеиваемая Мощность
Полярность Транзистора
DC Ток Коллектора
DC Усиление Тока hFE
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
1,5 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Количество элементов на ИС
2
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
2 В
Длина
3.04мм
Максимальное напряжение коллектор-база
40 V
Transistor Configuration
Одинарный
Максимальный запирающий ток коллектора
50нА
Производитель
ON Semiconductor
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
40 V
Максимальный непрерывный ток коллектора
500 mA
Тип корпуса
SOT-23
Максимальное рассеяние мощности
300 мВт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Ширина
1.4мм
Тип транзистора
NPN
Высота
1.01mm
Число контактов
3
Максимальное напряжение эмиттер-база
-12 В
Размеры
3.04 x 1.4 x 1.01мм
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
10000
Вес, г
90

Дополнительная информация

Datasheet MMBT6427LT1G

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.