MMBT918LT1G, Биполярный транзистор, универсальный, NPN, 15 В, 600 МГц, 225 мВт, 50 мА, 20 hFE

PartNumber: MMBT918LT1G
Ном. номер: 8119085145
Производитель: ON Semiconductor
MMBT918LT1G, Биполярный транзистор, универсальный, NPN, 15 В, 600 МГц, 225 мВт, 50 мА, 20 hFE
Доступно на заказ 6000 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 2-3 недели.
2 руб. × = 6 000 руб.
Количество товаров должно быть кратно 3000 шт.
от 6000 шт. — 1.70 руб.

Описание

The MMBT918LT1G is a NPN Bipolar Transistor designed for general purpose VHF/UHF applications and is housed in the surface-mount package. This device is ideal for low-power surface-mount applications.

• Low RDS (ON) provides higher efficiency and extends battery life
• Saves board space

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура
150°C
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1 - Безлимитный
Напряжение Коллектор-Эмиттер
15В
Стиль Корпуса Транзистора
SOT-23
Рассеиваемая Мощность
225мВт
Полярность Транзистора
NPN
DC Ток Коллектора
50мА
DC Усиление Тока hFE
20hFE
Частота Перехода ft
600МГц

Дополнительная информация

Datasheet MMBT918LT1G