MMBTA13LT1G, Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 30 В, 0.3 А

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

3 руб.

Мин. кол-во для заказа 207 шт.

от 303 шт. — 2 руб.

от 605 шт. — 1.60 руб.

Добавить в корзину 207 шт. на сумму 621 руб.

Номенклатурный номер: 8847069772

Артикул: MMBTA13LT1G

Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные биполярные транзисторы

Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 30 В, 0.3 А

Корпус	sot-23
Maximum Base Emitter Saturation Voltage	1.5 V
Maximum Collector Base Voltage	30 V
Maximum Collector Cut-off Current	100nA
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage	1.5 V
Maximum Collector Emitter Voltage	30 V
Maximum Continuous Collector Current	300 mA
Maximum Emitter Base Voltage	10 V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	300 mW
Minimum DC Current Gain	5000
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	2
Package Type	SOT-23
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single
Transistor Type	NPN
Width	1.4mm
Вес, г	0.05