MMBTA56, Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 500 мА, 300 мВт, SOT-23, Surface Mount
60 руб.
Мин. кол-во для заказа 45 шт.
Кратность заказа 5 шт.
от 100 шт. —
27 руб.
Добавить в корзину 45 шт.
на сумму 2 700 руб.
Описание
SOT-23(TO-236) Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
| Collector Current (Ic) | 500mA |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100nA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 80V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 250mV@100mA, 10mA |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 100@100mA, 1V |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 225mW |
| Transistor Type | PNP |
| Transition Frequency (fT) | 50MHz |
| Вес, г | 40.79 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 512 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
