Мой регион: Россия

MMBTA56LT1G, Биполярный транзистор, PNP, -80 В, 50 МГц, 225 мВт, -500 мА, 100 hFE [SOT-23]

Ном. номер: 9000337318
Артикул: MMBTA56LT1G
Производитель: ON Semiconductor
Фото 1/2 MMBTA56LT1G, Биполярный транзистор, PNP, -80 В, 50 МГц, 225 мВт, -500 мА, 100 hFE [SOT-23]
Фото 2/2 MMBTA56LT1G, Биполярный транзистор, PNP, -80 В, 50 МГц, 225 мВт, -500 мА, 100 hFE [SOT-23]
4 руб.
3872 шт. со склада г.Москва
от 100 шт. — 3 руб.
от 1000 шт. — 2 руб.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
2 руб. По запросу 1 шт. 3247 шт.
от 6000 шт. — 1.10 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
В кредит от 0 руб./мес

The MMBTA56LT1G is a PNP Bipolar Transistor designed for use in linear and switching applications. The device is housed in a package which is designed for lower power surface-mount applications.

• Low RDS (ON) provides higher efficiency and extends battery life
• Saves board space
• AEC-Q101 qualified and PPAP capable

Технические параметры

Структура
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В
80
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)
Статический коэффициент передачи тока h21э мин
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт
Корпус
Вес, г
0.05

Техническая документация

MMBTA55LT1
pdf, 148 КБ

Дополнительная информация

Datasheet MMBTA56LT1G

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.