Главная › Каталог › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные (BJTs) › Diodes › MMBTA56Q-7-F, Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 350mW ...

MMBTA56Q-7-F, Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

Номенклатурный номер

8002220469

Артикул

MMBTA56Q-7-F

Бренд

DIODES INC.

Pd - рассеивание мощности

310 mW

Вид монтажа

SMD/SMT

Категория продукта

Биполярные транзисторы - BJT

Квалификация

AEC-Q101

Конфигурация

Single

Все параметры

Datasheet MMBTA56Q-7-F

pdf, 397 КБ

9000 шт., срок 9-11 недель

6 руб.

5 руб.

Мин. кол-во для заказа 6000 шт.

Кратность заказа 3000 шт.

6000 шт. на сумму 30 000 руб.

Плати частями
от 7 500 руб. × 4 платежа

Альтернативные предложения5

Этот же товар с другими ценами и сроками поставки

Описание Отзывы

Биполярные транзисторы - BJT PNP SS Trans 80Vceo 0.5A 0.3W

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности	310 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Квалификация	AEC-Q101
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	500 mA
Минимальная рабочая температура	55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	80 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	80 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	250 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	4 V
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	50 MHz
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	MMBTA56
Технология	Si
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	Diodes Incorporated
Упаковка / блок	SOT-23-3
Collector Emitter Voltage Max	80В
Continuous Collector Current	500мА
DC Current Gain hFE Min	100hFE
DC Усиление Тока hFE	100hFE
Power Dissipation	350мВт
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Линейка Продукции	-
Монтаж транзистора	Surface Mount
Стиль Корпуса Транзистора	SOT-23
Частота Перехода ft	100МГц
Вес, г	1