MMBTH10LT1G, Биполярный транзистор NPN 25В 50мА 225мВт Кус не менее 60 не менее 650МГц

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

11 руб.

Мин. кол-во для заказа 45 шт.

от 227 шт. — 8 руб.

от 453 шт. — 6.80 руб.

Добавить в корзину 45 шт. на сумму 495 руб.

Номенклатурный номер: 8003100925

Артикул: MMBTH10LT1G

Транзисторы / Биполярные транзисторы / Радиочастотные ВЧ и СВЧ транзисторы

Биполярный транзистор NPN 25В 50мА 225мВт Кус не менее 60 не менее 650МГц

Корпус	SOT-23-3(TO-236)
Automotive	No
Configuration	Single
ECCN (US)	EAR99
EU RoHS	Compliant
Lead Shape	Gull-wing
Material	Si
Maximum Collector Base Voltage (V)	30
Maximum Collector Cut-Off Current (nA)	100
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)	0.5 0.4mA 4mA
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)	25
Maximum Collector-Emitter Voltage Range (V)	20 to 30
Maximum Emitter Base Voltage (V)	3
Maximum Emitter Cut-Off Current (nA)	100
Maximum Junction Ambient Thermal Resistance	556 C/W
Maximum Operating Temperature (°C)	150
Maximum Power Dissipation (mW)	300
Maximum Transition Frequency (MHz)	800(Min)
Minimum DC Current Gain	60 4mA 10V
Minimum DC Current Gain Range	50 to 120
Minimum Operating Temperature (°C)	-55
Mounting	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Packaging	Tape and Reel
Part Status	Active
PCB changed	3
Pin Count	3
PPAP	No
Standard Package Name	SOT
Supplier Package	SOT-23
Type	NPN
Typical Output Capacitance (pF)	0.7(Max)
Maximum Collector Base Voltage	30 V dc
Maximum Collector Emitter Voltage	25 V
Maximum DC Collector Current	4 mA
Maximum Emitter Base Voltage	3 V
Maximum Operating Frequency	100 MHz
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	225 mW
Mounting Type	Surface Mount
Package Type	SOT-23
Transistor Configuration	Single
Transistor Type	NPN
Вес, г	0.309